檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "洪儒生".ccommittee (精準) and year="97"
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本論文研究主要是應用高溫爐法,以鎵金屬及氨氣做為鎵與氮的來源,於鍍金的矽基板上成長氮化鎵奈米線。在實驗參數設計上,則藉由控制基板的位置、鎵源的汽化溫度,來改變提供鎵源的量,同時由不同的反應氣體流量與…
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中文摘要 本論文利用電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD) 沉積矽薄膜於自組裝單分子薄膜(SAM)改質後的玻璃基板,並使用AFM、SEM觀察矽薄膜的表面形態受到不同形式(長鏈、短鏈、環狀)自…
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本研究以Silvaco公司所開發的元件模擬軟體ATLAS模擬單晶矽太陽能池並觀察n+層(射極)及p+層的厚度及摻雜濃度對元件特性的影響,模擬結果顯示,n+層最佳厚度為0.3μm摻雜濃度為5×1018…